Анализа ЛЕД отказа и отказа паковања
ЛЕД осветљење и технологија позадинског осветљења у протеклој деценији постигла је значајан напредак, као призната нова генерација извора зеленог свјетла, ЛЕД извор свјетлости појавио се у традиционалном освјетљењу и другим пољима, али још увијек има много ЛЕД свјетлосних извора не решава проблем .
Укључујући лошу доследност, високу цену и слабу поузданост, од којих су најважнија питања стабилности и поузданости. Иако тренутни прогнозирани ЛЕД извор светлости већи од 50.000 сати. Али овај живот се односи на теоријски живот, извор светлости при 25 ℃ радног века. У стварној употреби процеса, наишлиће на високу температуру, високу влажност и друга оштра окружења, дефекте изворног извора светлости у зуму, убрзавају старење материјала, ЛЕД светлосни извор брзо није успео.
1 . Фајлов режим физичког механизма
ЛЕД бљескалице су систем састављен од више модула. Неуспјех сваке компоненте ће узроковати грешке ЛЕД лампице. Од светлећег чипа до ЛЕД лампица, режим отказа има скоро 30 врста, као што је приказано у Табели 1, приказана је табела режима рада ЛЕД лампице. Овде ЛЕД из састава конструкције је подијељен на два дела чипа и вањско пакирање. Затим, режим отказа ЛЕД и физички механизам такође су подијељени на неуспјех чипова и неуспјех амбалаже за расправу о њима.
2. Табела 1 Режим отказивања ЛЕД лампице
Фактори нестанка ЛЕД чипова укључују: статичко струјање, струју и температуру.
3. Електростатичко пражњење може ослободити тренутак ултра-високог напона, на ЛЕД чип доноси велику штету, ЕСД ЛЕД чип неуспјех је подијељен на меки отказ и тврду отказивање два режима. Висок напон / струја узрокован статичким електрицитетом доводи до тога да ЛЕД чип кратког споја уђе у режим рада са тешким отказом. Разлог због кога је ЛЕД чип кратког споја јесте то што високи напон доводи до прекида електролита или превелика густина струје је тренутна путања у чипу.
Електростатичко пражњење Мало нижи напон / струја може изазвати мекан отказ ЛЕД чипа. Мехко отпуштање обично је праћено смањењем струје цурења за чип, што може бити због високе обрнуте струје проузроковане нестанком дела путне струје цурења. У поређењу са вертикалним ЛЕД чипом, статички је на нивоу оштећења ЛЕД чипа. Због тога што је ниво ЛЕД чипове електроде на истој страни чипа, тренутни високи напон генерисан статичким електрицитетом лакше скраћује чип на чипу, узрокујући отказ ЛЕД чипа.
Висока струја ће довести до отказа ЛЕД чипа: с једне стране велика струја доноси релативно високу температуру спојнице; с друге стране, са великом снагом електронског у ПН спој учинит ће Мг-Х везу и Га-Н прекинути везу
Пукотина везе Мг-Х ће додатно активирати носач п-слоја, тако да ЛЕД чип има фазу пораста оптичке снаге на почетку старења, а Га-Н веза ће формирати слободно место азота. Запаљивост азота повећава вероватноћу нерадиативне рекомбинације, чиме се објашњава слабљење оптичке снаге уређаја. Формирање слободних места азота да би се постигао равнотежа приликом веома дугог процеса, што је главни разлог за ЛЕД споро старење ЛЕД чип.
Истовремено, велика струја ће довести струју унутар ЛЕД чипа пренатрпаних, дефекте ЛЕД чипа у већој густини, што је озбиљнији феномен тренутне загушености. Прекомерна густина струје може узроковати појаву електромиграције метала, чиме је ЛЕД чип отказан. Поред тога, ИнГаН светлеће диоде у двострукој улози струје и температуре, у ефективном допингу п слоју ће се појавити врло нестабилан Мг-Х2 комплекс.
Ефекат температуре на ЛЕД чипу је углавном да се смањи унутрашња квантна ефикасност и краћа ЛЕД чип. То је зато што је интерна квантна ефикасност функција температуре, то је већа температура, што је нижа квантна ефикасност, док ће температура старења материјала оштетити контакт и повећати перформансе унутрашњег материјала ЛЕД чипа. Осим тога, висока температура споја чини дистрибуцију температуре унутар чипа неравномјерно, што резултира сјајем, чиме се смањује унутрашња квантна ефикасност и поузданост чипа. Термални притисак у одређеној мјери такође може узроковати руптуру ЛЕД чипа.
4. Недостатак ЛЕД амбалаже узроковани главним факторима укључује: температуру, влажност и напон.
Тренутно је најкомплетнија и свеобухватнија студија утицаја температуре на поузданост ЛЕД амбалаже. Температура узрокује ЛЕД модул и системску грешку због следећих аспеката:
(1) високе температуре ће успорити деградацију материјала за паковање, деградацију перформанси;
(2) температура споја на ЛЕД перформансама ће имати велики утицај. Прекомерна температура споја ће црнити слој фосфореа црно, чиме се ефекат ЛЕД светлости смањује или изазива катастрофалан отказ. Поред тога, пошто индекс рефракције и коефицијент топлотног ширења између силика гела и фосфорних честица не одговарају, висока температура ће смањити ефикасност конверзије фосфорја, а што је већи проценат допираног фосфора, што је лошија светлосна ефикасност смањује се;
(3) Због неусклађености топлотне проводљивости између материјала за капсулацију, температурни градијент и расподела температуре су неједнаки, пукотине се могу генерисати унутар материјала или деламиниране на интерфејсу између материјала. Ове пукотине и деламинација ће узроковати смањење ефекта светлости, чипа, фосфорног слоја између деламинације може смањити ефикасност екстракције светлости, фосфорни слој и силикагел за потење између највишег нивоа ефикасности екстракције може се смањити за више од 20%. деламинација између силика гела и супстрата може чак довести до ломљења златне жице, што доводи до катастрофалног отказа.
Кроз експерименталну студију високе влажности околине откривено је да упад влаге не само да смањује ефект ЛЕД светлости и може довести до катастрофалног квара ЛЕД-а. Утврђено је да влага игра важну улогу у формирању стратификованих дефеката високом температуром и поузданошћу високе влажности од 85 ℃ / 85% РХ. Резултат стратификације изазвало је смањење светлосне ефикасности ЛЕД-а и разлике храпавости различитих чипова Различити начини отказа.
Врући производи: танак ЛЕД крути бар , 48В УЛ панели , водоотпорни ЛЕД панел светиљки , 120В ЛЕД улица , 1.5М линеарна лампа , водоотпорна плоча од 36В , витка ЛЕД тракаста
