Анализа карактеристика Цоммон ЛЕД чипа

Анализа карактеристика заједничких ЛЕД чипова:

Један, МБ чип

Дефиниција: метал БОНдинг (метал адхезија) чип; чип припада патентираном производу УЕЦ-а.

Карактеристике:

1: Т користи високи термички коефицијент материјала --- Си као подлога, лако се загрева.

2: преко металног слоја на епитаксијални слој и подлогу за везивање (резервоара), док рефлектују фотоне, како би се избјегла апсорпција подлоге.

3: Ц- индуктивни Си субстрат за замену ГаАс субстрата, са добром топлотном проводљивошћу (разлика у топлотној проводљивости од 3 до 4 пута), више прилагођена пољу велике струје погона.

4: Дно металне рефлектујућег слоја, погодно за промоцију светлости и топлоте

5: С изе може се повећати, користи се у пољу велике снаге, нпр: 42мил МБ

Друго, ГБ чип

Дефиниција: чврсто везивање лепљивог слоја; чип припада патентираном производу УЕЦ-а

Карактеристике:

1: Транспарентни сапфирски супстрат који замењује апсорпцију ГаАс субстрата, оптичка снага је традиционални чип АС (Абсорбабле СТруцтуре) више од 2 пута, сапфирна супстрат слична са ТС чипом ГаП супстрата.

2: Ц хип на обе стране светла, са одличним Паттерном

3: Б исправност, укупна светлост је превазишла ТС чип ниво (8.6мил)

4: Структура структуре електрода, отпорност на високе струје на нешто лошије од јединственог чипа ТС једне електроде

Треће, ТС чип

Дефиниција: чип прозирне структуре (прозирна подлога), чип припада ХП-овом патентираном производу.

Карактеристике:

1: Ц комплекс производних комплекса, много већи од АС ЛЕД

2: Одлична одличност

3: Т прозорна ГаП супстрата, не упија светлост, висока осветљеност

4: В идели усед

Четири, АС чип

Дефиниција: Апсорпциона структура (апсорпциони подлога) чип;

Након скоро четири деценије развојних напора, тајванска ЛЕД оптоелектронска индустрија за врсту истраживања и развоја чипова, производње и продаје у зрелој фази, главне компаније у овом аспекту основног нивоа истраживања и развоја на истом нивоу, јаз није велика.

Индустрија индустрије чипова започела је касно, њена осветљеност и поузданост, а индустрија у Тајвану има одређени јаз, гдје говоримо о АС чипу, посебно УЕЦ АС чипу, нпр. 712СОЛ-ВР, 709СОЛ-ВР, 712СИМ-ВР, 709СИМ- ВР и слично

Карактеристике:

1: Ф наш чип, користећи припреме МОВПЕ процеса, осветљеност у односу на конвенционални чип на свјетло

2: Е кцеллент поузданост

3: В идели усед